3 ਇੰਚ 76.2mm 4H-ਸੈਮੀ SiC ਸਬਸਟਰੇਟ ਵੇਫਰ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਅਰਧ-ਅਪਮਾਨ ਕਰਨ ਵਾਲੇ SiC ਵੇਫਰ

ਛੋਟਾ ਵਰਣਨ:

ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਅਤੇ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਉਦਯੋਗ ਲਈ ਉੱਚ ਗੁਣਵੱਤਾ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ SiC ਵੇਫਰ (ਸਿਲਿਕਨ ਕਾਰਬਾਈਡ)। 3 ਇੰਚ SiC ਵੇਫਰ ਅਗਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੀ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ, 3-ਇੰਚ ਵਿਆਸ ਦੇ ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਸਿਲੀਕਾਨ-ਕਾਰਬਾਈਡ ਵੇਫਰ। ਵੇਫਰਾਂ ਦਾ ਉਦੇਸ਼ ਪਾਵਰ, ਆਰਐਫ ਅਤੇ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਹੈ।

ਸਾਨੂੰ ਈਮੇਲ ਭੇਜੋ

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਵੇਰਵਾ

ਉਤਪਾਦ ਟੈਗ

ਵਰਣਨ

3-ਇੰਚ 4H ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਡ SiC (ਸਿਲਿਕਨ ਕਾਰਬਾਈਡ) ਸਬਸਟਰੇਟ ਵੇਫਰ ਇੱਕ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਹਨ। 4H ਇੱਕ tetrahexahedral ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਅਰਧ-ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਦਾ ਮਤਲਬ ਹੈ ਕਿ ਘਟਾਓਣਾ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ ਅਤੇ ਮੌਜੂਦਾ ਪ੍ਰਵਾਹ ਤੋਂ ਕੁਝ ਹੱਦ ਤੱਕ ਅਲੱਗ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਅਜਿਹੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵੇਫਰਾਂ ਦੀਆਂ ਹੇਠ ਲਿਖੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ: ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ, ਘੱਟ ਸੰਚਾਲਨ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ, ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਅਤੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਸਥਿਰਤਾ। ਕਿਉਂਕਿ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਵਿਸ਼ਾਲ ਊਰਜਾ ਅੰਤਰ ਹੈ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਅਤੇ ਉੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਸਥਿਤੀਆਂ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, 4H-SiC ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿਡ ਵੇਫਰਾਂ ਨੂੰ ਪਾਵਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਅਤੇ ਰੇਡੀਓ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ (RF) ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

4H-SiC ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿਡ ਵੇਫਰਾਂ ਦੀਆਂ ਮੁੱਖ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ:

1--ਪਾਵਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ: 4H-SiC ਵੇਫਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਪਾਵਰ ਸਵਿਚਿੰਗ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ MOSFETs (ਮੈਟਲ ਆਕਸਾਈਡ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਫੀਲਡ ਇਫੈਕਟ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ), IGBTs (ਇਨਸੂਲੇਟਿਡ ਗੇਟ ਬਾਇਪੋਲਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ) ਅਤੇ ਸਕੌਟਕੀ ਡਾਇਡਸ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਇਹਨਾਂ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਸੰਚਾਲਨ ਅਤੇ ਸਵਿਚਿੰਗ ਨੁਕਸਾਨ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਉੱਚ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਨ।

2--ਰੇਡੀਓ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ (RF) ਡਿਵਾਈਸਾਂ: 4H-SiC ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿਡ ਵੇਫਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ, ਉੱਚ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ RF ਪਾਵਰ ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ, ਚਿੱਪ ਰੋਧਕ, ਫਿਲਟਰ ਅਤੇ ਹੋਰ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਨੂੰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਵਿੱਚ ਇਸਦੀ ਵੱਡੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਸੰਤ੍ਰਿਪਤਾ ਵਹਿਣ ਦੀ ਦਰ ਅਤੇ ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਦੇ ਕਾਰਨ ਬਿਹਤਰ ਉੱਚ-ਵਾਰਵਾਰਤਾ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਹੈ।

3--ਓਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਯੰਤਰ: 4H-SiC ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿਡ ਵੇਫਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ ਲੇਜ਼ਰ ਡਾਇਡਸ, ਯੂਵੀ ਲਾਈਟ ਡਿਟੈਕਟਰ ਅਤੇ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।

ਮਾਰਕੀਟ ਦੀ ਦਿਸ਼ਾ ਦੇ ਸੰਦਰਭ ਵਿੱਚ, ਪਾਵਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ, ਆਰਐਫ ਅਤੇ ਓਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਦੇ ਵਧ ਰਹੇ ਖੇਤਰਾਂ ਦੇ ਨਾਲ 4H-SiC ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿਡ ਵੇਫਰਾਂ ਦੀ ਮੰਗ ਵੱਧ ਰਹੀ ਹੈ। ਇਹ ਇਸ ਤੱਥ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੈ ਕਿ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਵਿੱਚ ਊਰਜਾ ਕੁਸ਼ਲਤਾ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਵਾਹਨਾਂ, ਨਵਿਆਉਣਯੋਗ ਊਰਜਾ ਅਤੇ ਸੰਚਾਰ ਸਮੇਤ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਵਿਸ਼ਾਲ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਹੈ। ਭਵਿੱਖ ਵਿੱਚ, 4H-SiC ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿਡ ਵੇਫਰਾਂ ਦਾ ਬਾਜ਼ਾਰ ਬਹੁਤ ਹੀ ਹੋਨਹਾਰ ਬਣਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ ਅਤੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਰਵਾਇਤੀ ਸਿਲੀਕਾਨ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਬਦਲਣ ਦੀ ਉਮੀਦ ਹੈ।