6 ਇੰਚ GaN-ਆਨ-ਨੀਲਮ
ਸਿਲੀਕਾਨ/ਨੀਲਮ/SiC ਐਪੀ-ਲੇਅਰ ਵੇਫਰ 'ਤੇ 150mm 6 ਇੰਚ GaN ਗੈਲੀਅਮ ਨਾਈਟਰਾਈਡ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਵੇਫਰ
6-ਇੰਚ ਨੀਲਮ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵੇਫਰ ਇੱਕ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲਾ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪਦਾਰਥ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਨੀਲਮ ਸਬਸਟਰੇਟ 'ਤੇ ਉਗਾਈਆਂ ਗਈਆਂ ਗੈਲੀਅਮ ਨਾਈਟਰਾਈਡ (GaN) ਦੀਆਂ ਪਰਤਾਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ। ਇਸ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਟ੍ਰਾਂਸਪੋਰਟ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ ਅਤੇ ਇਹ ਉੱਚ-ਸ਼ਕਤੀ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਆਵਿਰਤੀ ਵਾਲੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਆਦਰਸ਼ ਹੈ।
ਨਿਰਮਾਣ ਵਿਧੀ: ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਧਾਤ-ਜੈਵਿਕ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾਂ (MOCVD) ਜਾਂ ਅਣੂ ਬੀਮ ਐਪੀਟੈਕਸੀ (MBE) ਵਰਗੀਆਂ ਉੱਨਤ ਤਕਨੀਕਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਨੀਲਮ ਸਬਸਟਰੇਟ 'ਤੇ GaN ਪਰਤਾਂ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣਾ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ। ਜਮ੍ਹਾਂ ਕਰਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਉੱਚ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗੁਣਵੱਤਾ ਅਤੇ ਇਕਸਾਰ ਫਿਲਮ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਹਾਲਤਾਂ ਵਿੱਚ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
6 ਇੰਚ GaN-ਆਨ-ਸੈਫਾਇਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ: 6-ਇੰਚ ਸੈਫਾਇਰ ਸਬਸਟਰੇਟ ਚਿਪਸ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਸੰਚਾਰ, ਰਾਡਾਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ, ਵਾਇਰਲੈੱਸ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਅਤੇ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।
ਕੁਝ ਆਮ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ
1. ਆਰਐਫ ਪਾਵਰ ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ
2. LED ਰੋਸ਼ਨੀ ਉਦਯੋਗ
3. ਵਾਇਰਲੈੱਸ ਨੈੱਟਵਰਕ ਸੰਚਾਰ ਉਪਕਰਣ
4. ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣ
5. ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਯੰਤਰ
ਉਤਪਾਦ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
- ਆਕਾਰ: ਸਬਸਟਰੇਟ ਦਾ ਵਿਆਸ 6 ਇੰਚ (ਲਗਭਗ 150 ਮਿਲੀਮੀਟਰ) ਹੈ।
- ਸਤ੍ਹਾ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ: ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਸ਼ੀਸ਼ੇ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਲਈ ਸਤ੍ਹਾ ਨੂੰ ਬਾਰੀਕ ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।
- ਮੋਟਾਈ: GaN ਪਰਤ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਨੂੰ ਖਾਸ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
- ਪੈਕਿੰਗ: ਆਵਾਜਾਈ ਦੌਰਾਨ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨੂੰ ਐਂਟੀ-ਸਟੈਟਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਨਾਲ ਸਾਵਧਾਨੀ ਨਾਲ ਪੈਕ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
- ਕਿਨਾਰਿਆਂ ਦੀ ਸਥਿਤੀ: ਸਬਸਟਰੇਟ ਵਿੱਚ ਖਾਸ ਸਥਿਤੀ ਵਾਲੇ ਕਿਨਾਰੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਜੋ ਡਿਵਾਈਸ ਦੀ ਤਿਆਰੀ ਦੌਰਾਨ ਅਲਾਈਨਮੈਂਟ ਅਤੇ ਸੰਚਾਲਨ ਦੀ ਸਹੂਲਤ ਦਿੰਦੇ ਹਨ।
- ਹੋਰ ਮਾਪਦੰਡ: ਖਾਸ ਮਾਪਦੰਡ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਪਤਲਾਪਨ, ਰੋਧਕਤਾ ਅਤੇ ਡੋਪਿੰਗ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਨੂੰ ਗਾਹਕ ਦੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਐਡਜਸਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਆਪਣੀਆਂ ਉੱਤਮ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਵਿਭਿੰਨ ਉਪਯੋਗਾਂ ਦੇ ਨਾਲ, 6-ਇੰਚ ਨੀਲਮ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵੇਫਰ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਉਦਯੋਗਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਇੱਕ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਵਿਕਲਪ ਹਨ।
| ਸਬਸਟ੍ਰੇਟ | 6” 1mm <111> ਪੀ-ਟਾਈਪ ਸੀ | 6” 1mm <111> ਪੀ-ਟਾਈਪ ਸੀ |
| ਏਪੀਆਈ ਥਿਕ ਔਸਤ | ~5 ਮਿੰਟ | ~7 ਸਾਲ |
| ਏਪੀਆਈ ਥਿਕਯੂਨੀਫ | <2% | <2% |
| ਧਨੁਸ਼ | +/- 45 ਰੁਪਏ | +/- 45 ਰੁਪਏ |
| ਕਰੈਕਿੰਗ | <5 ਮਿਲੀਮੀਟਰ | <5 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਵਰਟੀਕਲ ਬੀ.ਵੀ. | >1000ਵੀ | >1400ਵੀ |
| HEMT ਅਲ% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT ਮੋਟਾ ਔਸਤ | 20-30nm | 20-30nm |
| ਇੰਸੀਟੂ ਸੀਐਨ ਕੈਪ | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG ਕੰਕਸ਼ਨ | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ | ~2000 ਸੈ.ਮੀ.2/ਬਨਾਮ (<2%) | ~2000 ਸੈ.ਮੀ.2/ਬਨਾਮ (<2%) |
| ਆਰ.ਐੱਸ.ਐੱਚ. | <330ohm/ਵਰਗ (<2%) | <330ohm/ਵਰਗ (<2%) |
ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਚਿੱਤਰ
