LiNbO₃ ਵੇਫਰ 2 ਇੰਚ-8 ਇੰਚ ਮੋਟਾਈ 0.1 ~ 0.5mm TTV 3µm ਕਸਟਮ

ਛੋਟਾ ਵਰਣਨ:

LiNbO₃ ਵੇਫਰ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਫੋਟੋਨਿਕਸ ਅਤੇ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਧੁਨੀ ਵਿਗਿਆਨ ਵਿੱਚ ਸੋਨੇ ਦੇ ਮਿਆਰ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਆਧੁਨਿਕ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਵਿੱਚ ਬੇਮਿਸਾਲ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਇੱਕ ਮੋਹਰੀ ਨਿਰਮਾਤਾ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, ਅਸੀਂ ਇਹਨਾਂ ਇੰਜੀਨੀਅਰਡ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਨੂੰ ਉੱਨਤ ਭਾਫ਼ ਆਵਾਜਾਈ ਸੰਤੁਲਨ ਤਕਨੀਕਾਂ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਦੀ ਕਲਾ ਨੂੰ ਸੰਪੂਰਨ ਕੀਤਾ ਹੈ, 50/cm² ਤੋਂ ਘੱਟ ਨੁਕਸ ਘਣਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਉਦਯੋਗ-ਮੋਹਰੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਸੰਪੂਰਨਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਹੈ।

XKH ਉਤਪਾਦਨ ਸਮਰੱਥਾਵਾਂ 75mm ਤੋਂ 150mm ਤੱਕ ਵਿਆਸ ਵਿੱਚ ਫੈਲੀਆਂ ਹੋਈਆਂ ਹਨ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸਟੀਕ ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨ ਕੰਟਰੋਲ (X/Y/Z-ਕੱਟ ±0.3°) ਅਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਡੋਪਿੰਗ ਵਿਕਲਪ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਦੁਰਲੱਭ-ਧਰਤੀ ਤੱਤ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ। LiNbO₃ ਵੇਫਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਵਿਲੱਖਣ ਸੁਮੇਲ - ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ r₃₃ ਗੁਣਾਂਕ (32±2 pm/V) ਅਤੇ ਨੇੜੇ-UV ਤੋਂ ਮੱਧ-IR ਤੱਕ ਵਿਆਪਕ ਪਾਰਦਰਸ਼ਤਾ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ - ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਅਗਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਫੋਟੋਨਿਕ ਸਰਕਟਾਂ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਆਵਿਰਤੀ ਧੁਨੀ ਯੰਤਰਾਂ ਲਈ ਲਾਜ਼ਮੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

ਸਾਨੂੰ ਈਮੇਲ ਭੇਜੋ

ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਤਕਨੀਕੀ ਮਾਪਦੰਡ

ਸਮੱਗਰੀ	ਆਪਟੀਕਲ ਗ੍ਰੇਡ LiNbO3 ਵੈਫ਼ਸ
ਕਿਊਰੀ ਤਾਪਮਾਨ	1142±2.0℃
ਕੱਟਣ ਵਾਲਾ ਕੋਣ	X/Y/Z ਆਦਿ
ਵਿਆਸ/ਆਕਾਰ	2"/3"/4"/6"/8"
ਟੋਲ(±)	<0.20 ਮਿਲੀਮੀਟਰ
ਮੋਟਾਈ	0.1 ~ 0.5mm ਜਾਂ ਵੱਧ
ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਫਲੈਟ	16mm/22mm/32mm
ਟੀਟੀਵੀ	<3µm
ਧਨੁਸ਼	-30
ਵਾਰਪ	<40µm
ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨ ਫਲੈਟ	ਸਾਰੇ ਉਪਲਬਧ
ਸਤ੍ਹਾ ਦੀ ਕਿਸਮ	ਸਿੰਗਲ ਸਾਈਡ ਪਾਲਿਸ਼ਡ / ਡਬਲ ਸਾਈਡ ਪਾਲਿਸ਼ਡ
ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤਾ ਸਾਈਡ ਰਾ	<0.5nm
ਐੱਸ/ਡੀ	20/10
ਕਿਨਾਰੇ ਦੇ ਮਾਪਦੰਡ	R=0.2mm ਜਾਂ ਬੁਲਨੋਜ਼
ਆਪਟੀਕਲ ਡੋਪਡ	ਆਪਟੀਕਲ ਗ੍ਰੇਡ LN< ਵੇਫਰਾਂ ਲਈ Fe/Zn/MgO ਆਦਿ
ਵੇਫਰ ਸਰਫੇਸ ਮਾਪਦੰਡ	ਰਿਫ੍ਰੈਕਟਿਵ ਇੰਡੈਕਸ	ਨੰ=2.2878/Ne=2.2033 @632nm ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ
	ਗੰਦਗੀ,	ਕੋਈ ਨਹੀਂ
	ਕਣ ￠> 0.3 µ ਮੀਟਰ	<= 30
	ਸਕ੍ਰੈਚ, ਚਿੱਪਿੰਗ	ਕੋਈ ਨਹੀਂ
	ਨੁਕਸ	ਕੋਈ ਕਿਨਾਰਿਆਂ 'ਤੇ ਤਰੇੜਾਂ, ਖੁਰਚਾਂ, ਆਰੇ ਦੇ ਨਿਸ਼ਾਨ, ਧੱਬੇ ਨਹੀਂ
ਪੈਕੇਜਿੰਗ	ਮਾਤਰਾ/ਵੇਫਰ ਬਾਕਸ	25 ਪੀਸੀ ਪ੍ਰਤੀ ਡੱਬਾ

ਸਾਡੇ LiNbO₃ ਵੇਫਰਾਂ ਦੇ ਮੁੱਖ ਗੁਣ

1. ਫੋਟੋਨਿਕ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਸਾਡੇ LiNbO₃ ਵੇਫਰ ਅਸਧਾਰਨ ਪ੍ਰਕਾਸ਼-ਮਾਦੇ ਦੀ ਆਪਸੀ ਪਰਸਪਰ ਪ੍ਰਭਾਵ ਸਮਰੱਥਾਵਾਂ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਗੈਰ-ਰੇਖਿਕ ਆਪਟੀਕਲ ਗੁਣਾਂਕ 42 pm/V ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਦੇ ਹਨ - ਕੁਆਂਟਮ ਫੋਟੋਨਿਕਸ ਲਈ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਕੁਸ਼ਲ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਸਬਸਟਰੇਟ 320-5200nm ਵਿੱਚ 72% ਤੋਂ ਵੱਧ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਨੂੰ ਬਣਾਈ ਰੱਖਦੇ ਹਨ, ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇੰਜੀਨੀਅਰਡ ਸੰਸਕਰਣਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਟੈਲੀਕਾਮ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ 'ਤੇ <0.2dB/cm ਪ੍ਰਸਾਰ ਨੁਕਸਾਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੇ ਹਨ।

2. ਐਕੋਸਟਿਕ ਵੇਵ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ

ਸਾਡੇ LiNbO₃ ਵੇਫਰਾਂ ਦੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਬਣਤਰ 3800 m/s ਤੋਂ ਵੱਧ ਸਤਹ ਤਰੰਗ ਵੇਗ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ 12GHz ਤੱਕ ਰੈਜ਼ੋਨੇਟਰ ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਦੀ ਆਗਿਆ ਮਿਲਦੀ ਹੈ। ਸਾਡੀਆਂ ਮਲਕੀਅਤ ਪਾਲਿਸ਼ਿੰਗ ਤਕਨੀਕਾਂ ±15ppm/°C ਦੇ ਅੰਦਰ ਤਾਪਮਾਨ ਸਥਿਰਤਾ ਬਣਾਈ ਰੱਖਦੇ ਹੋਏ, 1.2dB ਤੋਂ ਘੱਟ ਸੰਮਿਲਨ ਨੁਕਸਾਨਾਂ ਵਾਲੇ ਸਤਹ ਧੁਨੀ ਤਰੰਗ (SAW) ਉਪਕਰਣ ਪੈਦਾ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।

3. ਵਾਤਾਵਰਣ ਲਚਕੀਲਾਪਣ

ਅਤਿਅੰਤ ਸਥਿਤੀਆਂ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਨ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਸਾਡੇ LiNbO₃ ਵੇਫਰ ਕ੍ਰਾਇਓਜੇਨਿਕ ਤਾਪਮਾਨ ਤੋਂ ਲੈ ਕੇ 500°C ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਵਾਤਾਵਰਣ ਤੱਕ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲਤਾ ਨੂੰ ਬਣਾਈ ਰੱਖਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਸਮੱਗਰੀ ਬੇਮਿਸਾਲ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਕਠੋਰਤਾ ਦਾ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਬਿਨਾਂ ਕਿਸੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਦੇ ਗਿਰਾਵਟ ਦੇ ਕੁੱਲ 1Mrad ਤੋਂ ਵੱਧ ਆਇਓਨਾਈਜ਼ਿੰਗ ਖੁਰਾਕ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਦੀ ਹੈ।

4. ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ-ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਸੰਰਚਨਾਵਾਂ

ਅਸੀਂ ਡੋਮੇਨ-ਇੰਜੀਨੀਅਰਡ ਰੂਪਾਂ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਾਂ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ:
5-50μm ਡੋਮੇਨ ਪੀਰੀਅਡਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਸਮੇਂ-ਸਮੇਂ 'ਤੇ ਪੋਲਡ ਬਣਤਰ
ਹਾਈਬ੍ਰਿਡ ਏਕੀਕਰਨ ਲਈ ਆਇਨ-ਕੱਟੀਆਂ ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਮੈਟਾਮੈਟੀਰੀਅਲ-ਵਧਾਇਆ ਸੰਸਕਰਣ

LiNbO₃ ਵੇਫਰਾਂ ਲਈ ਲਾਗੂਕਰਨ ਦ੍ਰਿਸ਼

1. ਅਗਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਆਪਟੀਕਲ ਨੈੱਟਵਰਕ
LiNbO₃ ਵੇਫਰ ਟੈਰਾਬਿਟ-ਸਕੇਲ ਆਪਟੀਕਲ ਟ੍ਰਾਂਸਸੀਵਰਾਂ ਲਈ ਰੀੜ੍ਹ ਦੀ ਹੱਡੀ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਉੱਨਤ ਨੇਸਟਡ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨਾਂ ਰਾਹੀਂ 800Gbps ਕੋਹੈਰੈਂਟ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਸਾਡੇ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਨੂੰ AI/ML ਐਕਸਲੇਟਰ ਸਿਸਟਮਾਂ ਵਿੱਚ ਸਹਿ-ਪੈਕ ਕੀਤੇ ਆਪਟਿਕਸ ਲਾਗੂਕਰਨ ਲਈ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਅਪਣਾਇਆ ਜਾ ਰਿਹਾ ਹੈ।
2.6G RF ਫਰੰਟਐਂਡ
LiNbO₃ ਵੇਫਰਾਂ ਦੀ ਨਵੀਨਤਮ ਪੀੜ੍ਹੀ 20GHz ਤੱਕ ਅਲਟਰਾ-ਵਾਈਡਬੈਂਡ ਫਿਲਟਰਿੰਗ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਉੱਭਰ ਰਹੇ 6G ਮਿਆਰਾਂ ਦੀਆਂ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਸਾਡੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ 2000 ਤੋਂ ਵੱਧ Q ਫੈਕਟਰਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਨਵੇਂ ਐਕੋਸਟਿਕ ਰੈਜ਼ੋਨੇਟਰ ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ।
3. ਕੁਆਂਟਮ ਇਨਫਰਮੇਸ਼ਨ ਸਿਸਟਮ
ਸ਼ੁੱਧਤਾ-ਪੋਲਡ LiNbO₃ ਵੇਫਰ 90% ਤੋਂ ਵੱਧ ਜੋੜਾ ਉਤਪਾਦਨ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਉਲਝੇ ਹੋਏ ਫੋਟੋਨ ਸਰੋਤਾਂ ਲਈ ਨੀਂਹ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਸਾਡੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਫੋਟੋਨਿਕ ਕੁਆਂਟਮ ਕੰਪਿਊਟਿੰਗ ਅਤੇ ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਸੰਚਾਰ ਨੈੱਟਵਰਕਾਂ ਵਿੱਚ ਸਫਲਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾ ਰਹੇ ਹਨ।
4. ਐਡਵਾਂਸਡ ਸੈਂਸਿੰਗ ਸਮਾਧਾਨ
1550nm 'ਤੇ ਕੰਮ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਆਟੋਮੋਟਿਵ LiDAR ਤੋਂ ਲੈ ਕੇ ਅਤਿ-ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਗ੍ਰੈਵੀਮੈਟ੍ਰਿਕ ਸੈਂਸਰਾਂ ਤੱਕ, LiNbO₃ ਵੇਫਰ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਟ੍ਰਾਂਸਡਕਸ਼ਨ ਪਲੇਟਫਾਰਮ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਸਾਡੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਸੈਂਸਰ ਰੈਜ਼ੋਲਿਊਸ਼ਨ ਨੂੰ ਸਿੰਗਲ-ਮੋਲੀਕਿਊਲ ਖੋਜ ਪੱਧਰਾਂ ਤੱਕ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ।

LiNbO₃ਵੇਫਰਾਂ ਦੇ ਮੁੱਖ ਫਾਇਦੇ

1. ਬੇਮਿਸਾਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ
ਅਸਧਾਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਗੁਣਾਂਕ (r₃₃~30-32 pm/V): ਵਪਾਰਕ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਵੇਫਰਾਂ ਲਈ ਉਦਯੋਗ ਦੇ ਮਾਪਦੰਡ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, 200Gbps+ ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਆਪਟੀਕਲ ਮਾਡਿਊਲੇਟਰਾਂ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜੋ ਸਿਲੀਕਾਨ-ਅਧਾਰਿਤ ਜਾਂ ਪੋਲੀਮਰ ਹੱਲਾਂ ਦੀਆਂ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਸੀਮਾਵਾਂ ਨੂੰ ਕਿਤੇ ਵੱਧ ਕਰਦੇ ਹਨ।

ਅਤਿ-ਘੱਟ ਸੰਮਿਲਨ ਨੁਕਸਾਨ (<0.1 dB/cm): ਨੈਨੋਸਕੇਲ ਪਾਲਿਸ਼ਿੰਗ (Ra<0.3 nm) ਅਤੇ ਐਂਟੀ-ਰਿਫਲੈਕਸ਼ਨ (AR) ਕੋਟਿੰਗਾਂ ਰਾਹੀਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਆਪਟੀਕਲ ਸੰਚਾਰ ਮਾਡਿਊਲਾਂ ਦੀ ਊਰਜਾ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਵਾਧਾ ਹੋਇਆ।

2. ਸੁਪੀਰੀਅਰ ਪੀਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਅਤੇ ਧੁਨੀ ਗੁਣ
ਉੱਚ-ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ SAW/BAW ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਲਈ ਆਦਰਸ਼: 3500-3800 m/s ਦੀ ਧੁਨੀ ਵੇਗ ਦੇ ਨਾਲ, ਇਹ ਵੇਫਰ 6G mmWave (24-100 GHz) ਫਿਲਟਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦੇ ਹਨ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਇਨਸਰਸ਼ਨ ਲੌਸ <1.0 dB ਹੁੰਦੇ ਹਨ।

ਉੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਕਨੀਕਲ ਕਪਲਿੰਗ ਗੁਣਾਂਕ (K²~0.25%): RF ਫਰੰਟ-ਐਂਡ ਹਿੱਸਿਆਂ ਵਿੱਚ ਬੈਂਡਵਿਡਥ ਅਤੇ ਸਿਗਨਲ ਚੋਣ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ 5G/6G ਬੇਸ ਸਟੇਸ਼ਨਾਂ ਅਤੇ ਸੈਟੇਲਾਈਟ ਸੰਚਾਰ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

3. ਬਰਾਡਬੈਂਡ ਪਾਰਦਰਸ਼ਤਾ ਅਤੇ ਗੈਰ-ਰੇਖਿਕ ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ
ਅਲਟਰਾ-ਵਾਈਡ ਆਪਟੀਕਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਵਿੰਡੋ (350-5000 nm): UV ਤੋਂ ਮੱਧ-IR ਸਪੈਕਟਰਾ ਨੂੰ ਕਵਰ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਜਿਵੇਂ ਕਿ:

ਕੁਆਂਟਮ ਆਪਟਿਕਸ: ਪੀਰੀਅਡਿਕਲੀ ਪੋਲਡ (PPLN) ਸੰਰਚਨਾਵਾਂ ਉਲਝੇ ਹੋਏ ਫੋਟੋਨ ਜੋੜੇ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿੱਚ 90% ਤੋਂ ਵੱਧ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।

ਲੇਜ਼ਰ ਸਿਸਟਮ: ਆਪਟੀਕਲ ਪੈਰਾਮੀਟ੍ਰਿਕ ਓਸੀਲੇਸ਼ਨ (OPO) ਟਿਊਨੇਬਲ ਵੇਵਲੇਂਥ ਆਉਟਪੁੱਟ (1-10 μm) ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।

ਅਸਧਾਰਨ ਲੇਜ਼ਰ ਨੁਕਸਾਨ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ (>1 GW/cm²): ਉੱਚ-ਪਾਵਰ ਲੇਜ਼ਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਸਖ਼ਤ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਦਾ ਹੈ।

4. ਅਤਿਅੰਤ ਵਾਤਾਵਰਣ ਸਥਿਰਤਾ
ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ (ਕਿਊਰੀ ਪੁਆਇੰਟ: 1140°C): -200°C ਤੋਂ +500°C ਤੱਕ ਸਥਿਰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਬਣਾਈ ਰੱਖਦਾ ਹੈ, ਇਹਨਾਂ ਲਈ ਆਦਰਸ਼:

ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ (ਇੰਜਣ ਕੰਪਾਰਟਮੈਂਟ ਸੈਂਸਰ)

ਪੁਲਾੜ ਯਾਨ (ਡੂੰਘੀ-ਪੁਲਾੜ ਆਪਟੀਕਲ ਹਿੱਸੇ)

ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਕਠੋਰਤਾ (>1 Mrad TID): MIL-STD-883 ਮਿਆਰਾਂ ਦੇ ਅਨੁਕੂਲ, ਪ੍ਰਮਾਣੂ ਅਤੇ ਰੱਖਿਆ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ।

5. ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਅਤੇ ਏਕੀਕਰਣ ਲਚਕਤਾ
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨ ਅਤੇ ਡੋਪਿੰਗ ਓਪਟੀਮਾਈਜੇਸ਼ਨ:

X/Y/Z-ਕੱਟ ਵੇਫਰ (±0.3° ਸ਼ੁੱਧਤਾ)

ਵਧੇ ਹੋਏ ਆਪਟੀਕਲ ਨੁਕਸਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਲਈ MgO ਡੋਪਿੰਗ (5 mol%)

ਵਿਭਿੰਨ ਏਕੀਕਰਨ ਸਹਾਇਤਾ:

ਸਿਲੀਕਾਨ ਫੋਟੋਨਿਕਸ (SiPh) ਨਾਲ ਹਾਈਬ੍ਰਿਡ ਏਕੀਕਰਨ ਲਈ ਪਤਲੀ-ਫਿਲਮ LiNbO₃-ਆਨ-ਇੰਸੂਲੇਟਰ (LNOI) ਨਾਲ ਅਨੁਕੂਲ।