Ti/Cu ਮੈਟਲ-ਕੋਟੇਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵੇਫਰ (ਟਾਈਟੇਨੀਅਮ/ਤਾਂਬਾ)
ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਚਿੱਤਰ
ਸੰਖੇਪ ਜਾਣਕਾਰੀ
ਸਾਡਾTi/Cu ਮੈਟਲ-ਕੋਟੇਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵੇਫਰਇੱਕ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲਾ ਸਿਲੀਕਾਨ (ਜਾਂ ਵਿਕਲਪਿਕ ਕੱਚ/ਕੁਆਰਟਜ਼) ਸਬਸਟਰੇਟ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਨਾਲ ਲੇਪਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈਟਾਈਟੇਨੀਅਮ ਅਡੈਸ਼ਨ ਪਰਤਅਤੇ ਇੱਕਤਾਂਬੇ ਦੀ ਸੰਚਾਲਕ ਪਰਤਵਰਤ ਕੇਸਟੈਂਡਰਡ ਮੈਗਨੇਟ੍ਰੋਨ ਸਪਟਰਿੰਗ. Ti ਇੰਟਰਲੇਅਰ ਅਡੈਸ਼ਨ ਅਤੇ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸਥਿਰਤਾ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਸੁਧਾਰ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ Cu ਟਾਪ ਲੇਅਰ ਇੱਕ ਘੱਟ-ਰੋਧਕ, ਇਕਸਾਰ ਸਤਹ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਇੰਟਰਫੇਸਿੰਗ ਅਤੇ ਡਾਊਨਸਟ੍ਰੀਮ ਮਾਈਕ੍ਰੋਫੈਬਰੀਕੇਸ਼ਨ ਲਈ ਆਦਰਸ਼ ਹੈ।
ਖੋਜ ਅਤੇ ਪਾਇਲਟ-ਸਕੇਲ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਦੋਵਾਂ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਇਹ ਵੇਫਰ ਕਈ ਆਕਾਰਾਂ ਅਤੇ ਰੋਧਕਤਾ ਰੇਂਜਾਂ ਵਿੱਚ ਉਪਲਬਧ ਹਨ, ਮੋਟਾਈ, ਸਬਸਟਰੇਟ ਕਿਸਮ ਅਤੇ ਕੋਟਿੰਗ ਸੰਰਚਨਾ ਲਈ ਲਚਕਦਾਰ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਦੇ ਨਾਲ।
ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
-
ਮਜ਼ਬੂਤ ਚਿਪਕਣ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ: Ti ਬੰਧਨ ਪਰਤ Si/SiO₂ ਪ੍ਰਤੀ ਫਿਲਮ ਦੀ ਪਾਲਣਾ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਹੈਂਡਲਿੰਗ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।
-
ਉੱਚ ਚਾਲਕਤਾ ਵਾਲੀ ਸਤ੍ਹਾ: Cu ਕੋਟਿੰਗ ਸੰਪਰਕਾਂ ਅਤੇ ਟੈਸਟ ਢਾਂਚਿਆਂ ਲਈ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਬਿਜਲੀ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ।
-
ਵਿਆਪਕ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਸੀਮਾ: ਵੇਫਰ ਦਾ ਆਕਾਰ, ਰੋਧਕਤਾ, ਸਥਿਤੀ, ਸਬਸਟਰੇਟ ਮੋਟਾਈ, ਅਤੇ ਫਿਲਮ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਬੇਨਤੀ 'ਤੇ ਉਪਲਬਧ ਹੈ।
-
ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ-ਤਿਆਰ ਸਬਸਟਰੇਟ: ਆਮ ਲੈਬ ਅਤੇ ਫੈਬ ਵਰਕਫਲੋ (ਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਬਿਲਡ-ਅੱਪ, ਮੈਟਰੋਲੋਜੀ, ਆਦਿ) ਦੇ ਅਨੁਕੂਲ।
-
ਸਮੱਗਰੀ ਲੜੀ ਉਪਲਬਧ ਹੈ: Ti/Cu ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਅਸੀਂ Au, Pt, Al, Ni, Ag ਮੈਟਲ-ਕੋਟੇਡ ਵੇਫਰ ਵੀ ਪੇਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਾਂ।
ਆਮ ਬਣਤਰ ਅਤੇ ਜਮ੍ਹਾ
-
ਸਟੈਕ: ਸਬਸਟਰੇਟ + ਟੀਆਈ ਅਡੈਸ਼ਨ ਪਰਤ + ਸੀਯੂ ਕੋਟਿੰਗ ਪਰਤ
-
ਮਿਆਰੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ: ਮੈਗਨੇਟ੍ਰੋਨ ਸਪਟਰਿੰਗ
-
ਵਿਕਲਪਿਕ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ: ਥਰਮਲ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ / ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ (ਮੋਟੇ Cu ਲੋੜਾਂ ਲਈ)
ਕੁਆਰਟਜ਼ ਗਲਾਸ ਦੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਗੁਣ
| ਆਈਟਮ | ਵਿਕਲਪ |
|---|---|
| ਵੇਫਰ ਦਾ ਆਕਾਰ | 2", 4", 6", 8"; 10×10 ਮਿਲੀਮੀਟਰ; ਕਸਟਮ ਡਾਈਸਿੰਗ ਆਕਾਰ |
| ਚਾਲਕਤਾ ਦੀ ਕਿਸਮ | ਪੀ-ਟਾਈਪ / ਐਨ-ਟਾਈਪ / ਅੰਦਰੂਨੀ ਉੱਚ-ਰੋਧਕਤਾ (ਅਨ) |
| ਦਿਸ਼ਾ-ਨਿਰਦੇਸ਼ | <100>, <111>, ਆਦਿ। |
| ਰੋਧਕਤਾ | <0.0015 Ω·cm; 1–10 Ω·cm; >1000–10000 Ω·cm |
| ਮੋਟਾਈ (µm) | 2": 200/280/400/500; 4": 450/500/525; 6": 625/650/675; 8": 650/700/725/775; ਕਸਟਮ |
| ਸਬਸਟ੍ਰੇਟ ਸਮੱਗਰੀ | ਸਿਲੀਕਾਨ; ਵਿਕਲਪਿਕ ਕੁਆਰਟਜ਼, BF33 ਗਲਾਸ, ਆਦਿ। |
| ਫਿਲਮ ਦੀ ਮੋਟਾਈ | 10 nm / 50 nm / 100 nm / 150 nm / 300 nm / 500 nm / 1 µm (ਅਨੁਕੂਲਿਤ) |
| ਧਾਤੂ ਫਿਲਮ ਵਿਕਲਪ | Ti/Cu; Au, Pt, Al, Ni, Ag ਵੀ ਉਪਲਬਧ ਹੈ |
ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ
-
ਓਹਮਿਕ ਸੰਪਰਕ ਅਤੇ ਸੰਚਾਲਕ ਸਬਸਟਰੇਟਡਿਵਾਈਸ ਖੋਜ ਅਤੇ ਵਿਕਾਸ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਟੈਸਟਿੰਗ ਲਈ
-
ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਲਈ ਬੀਜ ਪਰਤਾਂ(RDL, MEMS ਢਾਂਚੇ, ਮੋਟੇ Cu ਬਿਲਡ-ਅੱਪ)
-
ਸੋਲ-ਜੈੱਲ ਅਤੇ ਨੈਨੋਮੈਟੀਰੀਅਲ ਗ੍ਰੋਥ ਸਬਸਟਰੇਟਸਨੈਨੋ ਅਤੇ ਪਤਲੀ-ਫਿਲਮ ਖੋਜ ਲਈ
-
ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ ਅਤੇ ਸਤ੍ਹਾ ਮੈਟਰੋਲੋਜੀ(SEM/AFM/SPM ਨਮੂਨਾ ਤਿਆਰੀ ਅਤੇ ਮਾਪ)
-
ਜੈਵਿਕ/ਰਸਾਇਣਕ ਸਤਹਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸੈੱਲ ਕਲਚਰ ਪਲੇਟਫਾਰਮ, ਪ੍ਰੋਟੀਨ/ਡੀਐਨਏ ਮਾਈਕ੍ਰੋਐਰੇ, ਅਤੇ ਰਿਫਲੈਕਟੋਮੈਟਰੀ ਸਬਸਟਰੇਟ
FAQ (Ti/Cu ਮੈਟਲ-ਕੋਟੇਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵੇਫਰ)
Q1: Cu ਕੋਟਿੰਗ ਦੇ ਹੇਠਾਂ Ti ਪਰਤ ਕਿਉਂ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ?
A: ਟਾਈਟੇਨੀਅਮ ਇੱਕ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈਅਡੈਸ਼ਨ (ਬੰਧਨ) ਪਰਤ, ਸਬਸਟਰੇਟ ਨਾਲ ਤਾਂਬੇ ਦੇ ਲਗਾਵ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਣਾ ਅਤੇ ਇੰਟਰਫੇਸ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣਾ, ਜੋ ਹੈਂਡਲਿੰਗ ਅਤੇ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਦੌਰਾਨ ਛਿੱਲਣ ਜਾਂ ਡੀਲੇਮੀਨੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਵਿੱਚ ਮਦਦ ਕਰਦਾ ਹੈ।
Q2: ਆਮ Ti/Cu ਮੋਟਾਈ ਸੰਰਚਨਾ ਕੀ ਹੈ?
A: ਆਮ ਸੰਜੋਗਾਂ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨTi: ਦਸਾਂ nm (ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, 10–50 nm)ਅਤੇਘਣ: 50–300 nmਸਪਟਰਡ ਫਿਲਮਾਂ ਲਈ। ਮੋਟੀਆਂ Cu ਪਰਤਾਂ (µm-ਪੱਧਰ) ਅਕਸਰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀਆਂ ਜਾਂਦੀਆਂ ਹਨਇੱਕ ਫੁੱਟੀ ਹੋਈ Cu ਬੀਜ ਪਰਤ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ, ਤੁਹਾਡੀ ਅਰਜ਼ੀ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦਾ ਹੈ।
Q3: ਕੀ ਤੁਸੀਂ ਵੇਫਰ ਦੇ ਦੋਵੇਂ ਪਾਸੇ ਕੋਟ ਲਗਾ ਸਕਦੇ ਹੋ?
ਉ: ਹਾਂ।ਸਿੰਗਲ-ਸਾਈਡ ਜਾਂ ਡਬਲ-ਸਾਈਡ ਕੋਟਿੰਗਬੇਨਤੀ ਕਰਨ 'ਤੇ ਉਪਲਬਧ ਹੈ। ਆਰਡਰ ਕਰਦੇ ਸਮੇਂ ਕਿਰਪਾ ਕਰਕੇ ਆਪਣੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਦੱਸੋ।
ਸਾਡੇ ਬਾਰੇ
XKH ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਆਪਟੀਕਲ ਸ਼ੀਸ਼ੇ ਅਤੇ ਨਵੀਂ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਉੱਚ-ਤਕਨੀਕੀ ਵਿਕਾਸ, ਉਤਪਾਦਨ ਅਤੇ ਵਿਕਰੀ ਵਿੱਚ ਮਾਹਰ ਹੈ। ਸਾਡੇ ਉਤਪਾਦ ਆਪਟੀਕਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ, ਖਪਤਕਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਅਤੇ ਫੌਜ ਦੀ ਸੇਵਾ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਅਸੀਂ ਸੈਫਾਇਰ ਆਪਟੀਕਲ ਕੰਪੋਨੈਂਟ, ਮੋਬਾਈਲ ਫੋਨ ਲੈਂਸ ਕਵਰ, ਸਿਰੇਮਿਕਸ, LT, ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ SIC, ਕੁਆਰਟਜ਼, ਅਤੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵੇਫਰ ਪੇਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਾਂ। ਹੁਨਰਮੰਦ ਮੁਹਾਰਤ ਅਤੇ ਅਤਿ-ਆਧੁਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਨਾਲ, ਅਸੀਂ ਗੈਰ-ਮਿਆਰੀ ਉਤਪਾਦ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਵਿੱਚ ਉੱਤਮਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੇ ਹਾਂ, ਜਿਸਦਾ ਉਦੇਸ਼ ਇੱਕ ਮੋਹਰੀ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਉੱਚ-ਤਕਨੀਕੀ ਉੱਦਮ ਬਣਨਾ ਹੈ।
