8 ਇੰਚ 200mm ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ SiC ਵੇਫਰਜ਼ 4H-N ਕਿਸਮ ਉਤਪਾਦਨ ਗ੍ਰੇਡ 500um ਮੋਟਾਈ

ਛੋਟਾ ਵਰਣਨ:

ਸ਼ੰਘਾਈ ਜ਼ਿੰਕੇਹੁਈ ਟੈਕ.ਕੰਪਨੀ, ਲਿਮਟਿਡ N- ਅਤੇ ਅਰਧ-ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਕਿਸਮਾਂ ਦੇ ਨਾਲ 8 ਇੰਚ ਵਿਆਸ ਤੱਕ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਵੇਫਰਾਂ ਅਤੇ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਲਈ ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਚੋਣ ਅਤੇ ਕੀਮਤਾਂ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਦੁਨੀਆ ਭਰ ਦੀਆਂ ਛੋਟੀਆਂ ਅਤੇ ਵੱਡੀਆਂ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਡਿਵਾਈਸ ਕੰਪਨੀਆਂ ਅਤੇ ਖੋਜ ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾਵਾਂ ਸਾਡੇ ਸਿਲੀਕੋਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਵੇਫਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ 'ਤੇ ਭਰੋਸਾ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।

ਸਾਨੂੰ ਈਮੇਲ ਭੇਜੋ

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਵੇਰਵਾ

ਉਤਪਾਦ ਟੈਗ

200mm 8inch SiC ਸਬਸਟਰੇਟ ਨਿਰਧਾਰਨ

ਆਕਾਰ: 8 ਇੰਚ;

ਵਿਆਸ: 200mm±0.2;

ਮੋਟਾਈ: 500um±25;

ਸਤਹ ਸਥਿਤੀ: 4 ਵੱਲ [11-20]±0.5°;

ਨੌਚ ਸਥਿਤੀ:[1-100]±1°;

ਨੌਚ ਡੂੰਘਾਈ: 1±0.25mm;

ਮਾਈਕ੍ਰੋਪਾਈਪ: <1cm2;

ਹੈਕਸ ਪਲੇਟਾਂ: ਕਿਸੇ ਦੀ ਇਜਾਜ਼ਤ ਨਹੀਂ ਹੈ;

ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ: 0.015~0.028Ω;

EPD:<8000cm2;

TED:<6000cm2

BPD:<2000cm2

TSD:<1000cm2

SF: ਖੇਤਰ<1%

TTV≤15um;

Warp≤40um;

ਕਮਾਨ≤25um;

ਪੌਲੀ ਖੇਤਰ: ≤5%;

ਸਕ੍ਰੈਚ: <5 ਅਤੇ ਸੰਚਤ ਲੰਬਾਈ< 1 ਵੇਫਰ ਵਿਆਸ;

ਚਿਪਸ/ਇੰਡੈਂਟ: ਕੋਈ ਵੀ ਇਜਾਜ਼ਤ ਨਹੀਂ ਦਿੰਦਾ D>0.5mm ਚੌੜਾਈ ਅਤੇ ਡੂੰਘਾਈ;

ਚੀਰ: ਕੋਈ ਨਹੀਂ;

ਦਾਗ਼: ਕੋਈ ਨਹੀਂ

ਵੇਫਰ ਕਿਨਾਰੇ: ਚੈਂਫਰ;

ਸਰਫੇਸ ਫਿਨਿਸ਼: ਡਬਲ ਸਾਈਡ ਪੋਲਿਸ਼, ਸੀ ਫੇਸ ਸੀਐਮਪੀ;

ਪੈਕਿੰਗ: ਮਲਟੀ-ਵੇਫਰ ਕੈਸੇਟ ਜਾਂ ਸਿੰਗਲ ਵੇਫਰ ਕੰਟੇਨਰ;

200mm 4H-SiC ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਮੇਨਲ ਦੀ ਤਿਆਰੀ ਵਿੱਚ ਮੌਜੂਦਾ ਮੁਸ਼ਕਲਾਂ

1) ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ 200mm 4H-SiC ਬੀਜ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਤਿਆਰੀ;

2) ਵੱਡੇ ਆਕਾਰ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ ਖੇਤਰ ਗੈਰ-ਇਕਸਾਰਤਾ ਅਤੇ ਨਿਊਕਲੀਸ਼ਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨਿਯੰਤਰਣ;

3) ਵੱਡੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਵਿੱਚ ਗੈਸੀ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਵਾਜਾਈ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਅਤੇ ਵਿਕਾਸ;

4) ਵੱਡੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਥਰਮਲ ਤਣਾਅ ਦੇ ਵਾਧੇ ਕਾਰਨ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਕਰੈਕਿੰਗ ਅਤੇ ਨੁਕਸ ਫੈਲਣਾ।

ਇਹਨਾਂ ਚੁਣੌਤੀਆਂ ਨੂੰ ਦੂਰ ਕਰਨ ਅਤੇ ਉੱਚ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ 200mm SiC ਵੇਫਰਸੋਲਿਊਸ਼ਨ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਪ੍ਰਸਤਾਵਿਤ ਹਨ:

200mm ਬੀਜ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਤਿਆਰੀ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, ਢੁਕਵੇਂ ਤਾਪਮਾਨ ਫੀਲਡਫਲੋ ਫੀਲਡ, ਅਤੇ ਵਿਸਤਾਰ ਅਸੈਂਬਲੀ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ ਅਤੇ ਖਾਤੇ ਵਿੱਚ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗੁਣਵੱਤਾ ਅਤੇ ਵਿਸਤਾਰ ਆਕਾਰ ਨੂੰ ਲੈਣ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ;ਇੱਕ 150mm SiC se:d ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨਾਲ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, SiC ਕ੍ਰਿਸਟਸਾਈਜ਼ ਨੂੰ ਹੌਲੀ-ਹੌਲੀ ਵਿਸਤਾਰ ਕਰਨ ਲਈ ਸੀਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੁਹਰਾਓ ਜਦੋਂ ਤੱਕ ਇਹ 200mm ਤੱਕ ਨਾ ਪਹੁੰਚ ਜਾਵੇ;ਮਲਟੀਪਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਅਤੇ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ, ਹੌਲੀ ਹੌਲੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਫੈਲਣ ਵਾਲੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕਰੋ, ਅਤੇ 200mm ਬੀਜ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰੋ।

200mm ਕੰਡਕਟਿਵ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੀ ਤਿਆਰੀ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, ਖੋਜ ਨੇ ਵੱਡੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗ੍ਰੋਥ, 200mm ਕੰਡਕਟਿਵ ਐਸਆਈਸੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗਰੋਥ, ਅਤੇ ਕੰਟਰੋਲ ਡੋਪਿੰਗ ਇਕਸਾਰਤਾ ਲਈ ਤਾਪਮਾਨ ਖੇਤਰ ਅਤੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਫੀਲਡ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਇਆ ਹੈ।ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਮੋਟਾ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਅਤੇ ਆਕਾਰ ਦੇਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਇੱਕ ਮਿਆਰੀ ਵਿਆਸ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ 8-ਇੰਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕਲੀ ਕੰਡਕਟਿਵ 4H-SiC ਇੰਗੋਟ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।525um ਜਾਂ ਇਸ ਤੋਂ ਵੱਧ ਮੋਟਾਈ ਵਾਲੇ SiC 200mm ਵੇਫਰ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕੱਟਣ, ਪੀਸਣ, ਪਾਲਿਸ਼ ਕਰਨ, ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਕਰਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ