ਉੱਚ-ਵਾਲੀਅਮ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ 12 ਇੰਚ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰ

ਹਾਈ-ਵਾਲੀਅਮ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ 12 ਇੰਚ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਚਿੱਤਰ

ਛੋਟਾ ਵਰਣਨ:

12 ਇੰਚ ਦੇ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰ ਨੂੰ ਵੱਡੇ-ਖੇਤਰ, ਉੱਚ-ਥਰੂਪੁੱਟ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕ ਨਿਰਮਾਣ ਦੀ ਵੱਧ ਰਹੀ ਮੰਗ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਡਿਵਾਈਸ ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ ਸਕੇਲ ਕਰਨਾ ਜਾਰੀ ਰੱਖਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਾਈਨਾਂ ਵੱਡੇ ਵੇਫਰ ਫਾਰਮੈਟਾਂ ਵੱਲ ਵਧਦੀਆਂ ਹਨ, ਅਲਟਰਾ-ਵੱਡੇ ਵਿਆਸ ਵਾਲੇ ਨੀਲਮ ਸਬਸਟਰੇਟ ਉਤਪਾਦਕਤਾ, ਉਪਜ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਅਤੇ ਲਾਗਤ ਨਿਯੰਤਰਣ ਵਿੱਚ ਸਪੱਸ਼ਟ ਫਾਇਦੇ ਪੇਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਨ।

ਸਾਨੂੰ ਈਮੇਲ ਭੇਜੋ

ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਚਿੱਤਰ

12 ਇੰਚ ਦੇ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰ ਦੀ ਜਾਣ-ਪਛਾਣ

ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਸਿੰਗਲ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ Al₂O₃ ਤੋਂ ਨਿਰਮਿਤ, ਸਾਡੇ 12 ਇੰਚ ਦੇ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਤਾਕਤ, ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਅਤੇ ਸਤਹ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੂੰ ਜੋੜਦੇ ਹਨ। ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਅਤੇ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵੇਫਰ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਦੁਆਰਾ, ਇਹ ਸਬਸਟਰੇਟ ਉੱਨਤ LED, GaN, ਅਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ।

ਸਮੱਗਰੀ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਨੀਲਮ (ਸਿੰਗਲ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਐਲੂਮੀਨੀਅਮ ਆਕਸਾਈਡ, Al₂O₃) ਆਪਣੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਭੌਤਿਕ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਗੁਣਾਂ ਲਈ ਜਾਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। 12 ਇੰਚ ਦੇ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰ ਨੀਲਮ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਸਾਰੇ ਫਾਇਦੇ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੇ ਹਨ ਜਦੋਂ ਕਿ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਵੱਡਾ ਵਰਤੋਂ ਯੋਗ ਸਤਹ ਖੇਤਰ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ।

ਮੁੱਖ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ:

ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਕਠੋਰਤਾ ਅਤੇ ਪਹਿਨਣ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ
ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਅਤੇ ਉੱਚ ਪਿਘਲਣ ਬਿੰਦੂ
ਐਸਿਡ ਅਤੇ ਖਾਰੀ ਪ੍ਰਤੀ ਉੱਤਮ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ
UV ਤੋਂ IR ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਤੱਕ ਉੱਚ ਆਪਟੀਕਲ ਪਾਰਦਰਸ਼ਤਾ
ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਬਿਜਲੀ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਇਹ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ 12 ਇੰਚ ਦੇ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰਾਂ ਨੂੰ ਕਠੋਰ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਵਾਤਾਵਰਣ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਬਣਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ।

ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ

12 ਇੰਚ ਦੇ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਉੱਨਤ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਅਤੇ ਅਤਿ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀਆਂ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਆਮ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ:

ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗ੍ਰੋਥ
ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਨੀਲਮ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ KY ਜਾਂ ਹੋਰ ਵੱਡੇ-ਵਿਆਸ ਵਾਲੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਤਕਨਾਲੋਜੀਆਂ ਵਰਗੇ ਉੱਨਤ ਤਰੀਕਿਆਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਉਗਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਇਕਸਾਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਥਿਤੀ ਅਤੇ ਘੱਟ ਅੰਦਰੂਨੀ ਤਣਾਅ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ।
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸ਼ੇਪਿੰਗ ਅਤੇ ਸਲਾਈਸਿੰਗ
ਨੀਲਮ ਇੰਗਟ ਨੂੰ ਬਿਲਕੁਲ ਸਹੀ ਆਕਾਰ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਅਤੇ ਸਤ੍ਹਾ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘੱਟ ਤੋਂ ਘੱਟ ਕਰਨ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਕੱਟਣ ਵਾਲੇ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ 12 ਇੰਚ ਵੇਫਰਾਂ ਵਿੱਚ ਕੱਟਿਆ ਗਿਆ ਹੈ।
ਲੈਪਿੰਗ ਅਤੇ ਪਾਲਿਸ਼ਿੰਗ
ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਸਤਹ ਖੁਰਦਰੀ, ਸਮਤਲਤਾ ਅਤੇ ਮੋਟਾਈ ਇਕਸਾਰਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਮਲਟੀ-ਸਟੈਪ ਲੈਪਿੰਗ ਅਤੇ ਕੈਮੀਕਲ ਮਕੈਨੀਕਲ ਪਾਲਿਸ਼ਿੰਗ (CMP) ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਲਾਗੂ ਕੀਤੀਆਂ ਜਾਂਦੀਆਂ ਹਨ।
ਸਫਾਈ ਅਤੇ ਨਿਰੀਖਣ
ਹਰੇਕ 12 ਇੰਚ ਦੇ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰ ਦੀ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸਫਾਈ ਅਤੇ ਸਖ਼ਤ ਨਿਰੀਖਣ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸਤ੍ਹਾ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ, ਟੀਟੀਵੀ, ਬੋ, ਵਾਰਪ ਅਤੇ ਨੁਕਸ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ

12 ਇੰਚ ਦੇ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰਾਂ ਨੂੰ ਉੱਨਤ ਅਤੇ ਉੱਭਰ ਰਹੀਆਂ ਤਕਨਾਲੋਜੀਆਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ:

ਉੱਚ-ਪਾਵਰ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਚਮਕ ਵਾਲੇ LED ਸਬਸਟਰੇਟ
GaN-ਅਧਾਰਿਤ ਪਾਵਰ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਅਤੇ RF ਡਿਵਾਈਸਾਂ
ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਪਕਰਣ ਕੈਰੀਅਰ ਅਤੇ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਸਬਸਟਰੇਟ
ਆਪਟੀਕਲ ਵਿੰਡੋਜ਼ ਅਤੇ ਵੱਡੇ-ਖੇਤਰ ਵਾਲੇ ਆਪਟੀਕਲ ਹਿੱਸੇ
ਉੱਨਤ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪੈਕੇਜਿੰਗ ਅਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਕੈਰੀਅਰ

ਵੱਡਾ ਵਿਆਸ ਵੱਡੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਥਰੂਪੁੱਟ ਅਤੇ ਬਿਹਤਰ ਲਾਗਤ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

12 ਇੰਚ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰਾਂ ਦੇ ਫਾਇਦੇ

ਪ੍ਰਤੀ ਵੇਫਰ ਉੱਚ ਡਿਵਾਈਸ ਆਉਟਪੁੱਟ ਲਈ ਵੱਡਾ ਵਰਤੋਂ ਯੋਗ ਖੇਤਰ
ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਇਕਸਾਰਤਾ ਅਤੇ ਇਕਸਾਰਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ
ਉੱਚ-ਵਾਲੀਅਮ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਤੀ ਡਿਵਾਈਸ ਘੱਟ ਲਾਗਤ
ਵੱਡੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਲਈ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਤਾਕਤ
ਵੱਖ-ਵੱਖ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਵਿਕਲਪ

ਅਸੀਂ 12 ਇੰਚ ਦੇ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰਾਂ ਲਈ ਲਚਕਦਾਰ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਾਂ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ:

ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨ (ਸੀ-ਪਲੇਨ, ਏ-ਪਲੇਨ, ਆਰ-ਪਲੇਨ, ਆਦਿ)
ਮੋਟਾਈ ਅਤੇ ਵਿਆਸ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ
ਸਿੰਗਲ-ਸਾਈਡ ਜਾਂ ਡਬਲ-ਸਾਈਡ ਪਾਲਿਸ਼ਿੰਗ
ਕਿਨਾਰੇ ਦੀ ਪ੍ਰੋਫਾਈਲ ਅਤੇ ਚੈਂਫਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ
ਸਤ੍ਹਾ ਦੀ ਖੁਰਦਰੀ ਅਤੇ ਸਮਤਲਤਾ ਦੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ

ਪੈਰਾਮੀਟਰ	ਨਿਰਧਾਰਨ	ਨੋਟਸ
ਵੇਫਰ ਵਿਆਸ	12 ਇੰਚ (300 ਮਿਲੀਮੀਟਰ)	ਸਟੈਂਡਰਡ ਵੱਡੇ-ਵਿਆਸ ਵਾਲਾ ਵੇਫਰ
ਸਮੱਗਰੀ	ਸਿੰਗਲ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੀਲਮ (Al₂O₃)	ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ/ਆਪਟੀਕਲ ਗ੍ਰੇਡ
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨ	ਸੀ-ਪਲੇਨ (0001), ਏ-ਪਲੇਨ (11-20), ਆਰ-ਪਲੇਨ (1-102)	ਵਿਕਲਪਿਕ ਦਿਸ਼ਾਵਾਂ ਉਪਲਬਧ ਹਨ
ਮੋਟਾਈ	430–500 ਮਾਈਕ੍ਰੋਮ	ਬੇਨਤੀ ਕਰਨ 'ਤੇ ਉਪਲਬਧ ਕਸਟਮ ਮੋਟਾਈ
ਮੋਟਾਈ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ	±10 ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ	ਉੱਨਤ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਲਈ ਸਖ਼ਤ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ
ਕੁੱਲ ਮੋਟਾਈ ਭਿੰਨਤਾ (TTV)	≤10 μm	ਵੇਫਰ ਵਿੱਚ ਇਕਸਾਰ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ
ਧਨੁਸ਼	≤50 ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ	ਪੂਰੇ ਵੇਫਰ ਉੱਤੇ ਮਾਪਿਆ ਗਿਆ
ਵਾਰਪ	≤50 ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ	ਪੂਰੇ ਵੇਫਰ ਉੱਤੇ ਮਾਪਿਆ ਗਿਆ
ਸਤ੍ਹਾ ਫਿਨਿਸ਼	ਸਿੰਗਲ-ਸਾਈਡ ਪਾਲਿਸ਼ਡ (SSP) / ਡਬਲ-ਸਾਈਡ ਪਾਲਿਸ਼ਡ (DSP)	ਉੱਚ ਆਪਟੀਕਲ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੀ ਸਤ੍ਹਾ
ਸਤ੍ਹਾ ਖੁਰਦਰੀ (Ra)	≤0.5 nm (ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤਾ)	ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਪਰਮਾਣੂ-ਪੱਧਰ ਦੀ ਨਿਰਵਿਘਨਤਾ
ਐਜ ਪ੍ਰੋਫਾਈਲ	ਚੈਂਫਰ / ਗੋਲ ਕਿਨਾਰਾ	ਹੈਂਡਲਿੰਗ ਦੌਰਾਨ ਚਿੱਪਿੰਗ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ
ਸਥਿਤੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ	±0.5°	ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਪਰਤ ਦੇ ਸਹੀ ਵਾਧੇ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਨੁਕਸ ਘਣਤਾ	<10 ਸੈ.ਮੀ.	ਆਪਟੀਕਲ ਨਿਰੀਖਣ ਦੁਆਰਾ ਮਾਪਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ
ਸਮਤਲਤਾ	≤2 μm / 100 ਮਿਲੀਮੀਟਰ	ਇਕਸਾਰ ਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ ਅਤੇ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਵਿਕਾਸ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ
ਸਫਾਈ	ਕਲਾਸ 100 - ਕਲਾਸ 1000	ਕਲੀਨਰੂਮ ਅਨੁਕੂਲ
ਆਪਟੀਕਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ	>85% (ਯੂਵੀ-ਆਈਆਰ)	ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਅਤੇ ਮੋਟਾਈ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦਾ ਹੈ

12 ਇੰਚ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰ ਅਕਸਰ ਪੁੱਛੇ ਜਾਂਦੇ ਸਵਾਲ

Q1: 12 ਇੰਚ ਦੇ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰ ਦੀ ਮਿਆਰੀ ਮੋਟਾਈ ਕਿੰਨੀ ਹੈ?
A: ਮਿਆਰੀ ਮੋਟਾਈ 430 μm ਤੋਂ 500 μm ਤੱਕ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਗਾਹਕਾਂ ਦੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਕਸਟਮ ਮੋਟਾਈ ਵੀ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।

Q2: 12 ਇੰਚ ਦੇ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰਾਂ ਲਈ ਕਿਹੜੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨ ਉਪਲਬਧ ਹਨ?
A: ਅਸੀਂ C-ਪਲੇਨ (0001), A-ਪਲੇਨ (11-20), ਅਤੇ R-ਪਲੇਨ (1-102) ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨ ਪੇਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਾਂ। ਹੋਰ ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨਾਂ ਨੂੰ ਖਾਸ ਡਿਵਾਈਸ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਦੇ ਆਧਾਰ 'ਤੇ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

Q3: ਵੇਫਰ ਦੀ ਕੁੱਲ ਮੋਟਾਈ ਭਿੰਨਤਾ (TTV) ਕੀ ਹੈ?
A: ਸਾਡੇ 12 ਇੰਚ ਦੇ ਨੀਲਮ ਵੇਫਰਾਂ ਵਿੱਚ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ TTV ≤10 μm ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ ਡਿਵਾਈਸ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਪੂਰੀ ਵੇਫਰ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਇਕਸਾਰਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

ਸਾਡੇ ਬਾਰੇ

XKH ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਆਪਟੀਕਲ ਸ਼ੀਸ਼ੇ ਅਤੇ ਨਵੀਂ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਉੱਚ-ਤਕਨੀਕੀ ਵਿਕਾਸ, ਉਤਪਾਦਨ ਅਤੇ ਵਿਕਰੀ ਵਿੱਚ ਮਾਹਰ ਹੈ। ਸਾਡੇ ਉਤਪਾਦ ਆਪਟੀਕਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ, ਖਪਤਕਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਅਤੇ ਫੌਜ ਦੀ ਸੇਵਾ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਅਸੀਂ ਸੈਫਾਇਰ ਆਪਟੀਕਲ ਕੰਪੋਨੈਂਟ, ਮੋਬਾਈਲ ਫੋਨ ਲੈਂਸ ਕਵਰ, ਸਿਰੇਮਿਕਸ, LT, ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ SIC, ਕੁਆਰਟਜ਼, ਅਤੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵੇਫਰ ਪੇਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਾਂ। ਹੁਨਰਮੰਦ ਮੁਹਾਰਤ ਅਤੇ ਅਤਿ-ਆਧੁਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਨਾਲ, ਅਸੀਂ ਗੈਰ-ਮਿਆਰੀ ਉਤਪਾਦ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਵਿੱਚ ਉੱਤਮਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੇ ਹਾਂ, ਜਿਸਦਾ ਉਦੇਸ਼ ਇੱਕ ਮੋਹਰੀ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਉੱਚ-ਤਕਨੀਕੀ ਉੱਦਮ ਬਣਨਾ ਹੈ।