RF ਧੁਨੀ ਯੰਤਰਾਂ (LNOSiC) ਲਈ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿਪਰੀਤ ਸਬਸਟਰੇਟ
ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਚਿੱਤਰ
ਉਤਪਾਦ ਸੰਖੇਪ ਜਾਣਕਾਰੀ
RF ਫਰੰਟ-ਐਂਡ ਮੋਡੀਊਲ ਆਧੁਨਿਕ ਮੋਬਾਈਲ ਸੰਚਾਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਦਾ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹਿੱਸਾ ਹੈ, ਅਤੇ RF ਫਿਲਟਰ ਇਸਦੇ ਸਭ ਤੋਂ ਜ਼ਰੂਰੀ ਬਿਲਡਿੰਗ ਬਲਾਕਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹਨ। RF ਫਿਲਟਰਾਂ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਵਰਤੋਂ ਕੁਸ਼ਲਤਾ, ਸਿਗਨਲ ਇਕਸਾਰਤਾ, ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਅਤੇ ਸਮੁੱਚੀ ਸਿਸਟਮ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨੂੰ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਦੀ ਹੈ। 5G NR ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਬੈਂਡਾਂ ਦੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤ ਅਤੇ ਭਵਿੱਖ ਦੇ ਵਾਇਰਲੈੱਸ ਮਿਆਰਾਂ ਵੱਲ ਨਿਰੰਤਰ ਵਿਕਾਸ ਦੇ ਨਾਲ, RF ਫਿਲਟਰਾਂ ਨੂੰ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈਉੱਚ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ, ਵਿਸ਼ਾਲ ਬੈਂਡਵਿਡਥ, ਉੱਚ ਪਾਵਰ ਪੱਧਰ, ਅਤੇ ਬਿਹਤਰ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ.
ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਉੱਚ-ਅੰਤ ਵਾਲੇ RF ਧੁਨੀ ਫਿਲਟਰ ਆਯਾਤ ਕੀਤੀਆਂ ਤਕਨਾਲੋਜੀਆਂ 'ਤੇ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਨਿਰਭਰ ਹਨ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਸਮੱਗਰੀ, ਡਿਵਾਈਸ ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ ਅਤੇ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ ਘਰੇਲੂ ਵਿਕਾਸ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਸੀਮਤ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ, ਸਕੇਲੇਬਲ, ਅਤੇ ਲਾਗਤ-ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ RF ਫਿਲਟਰ ਹੱਲ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਬਹੁਤ ਰਣਨੀਤਕ ਮਹੱਤਵ ਰੱਖਦਾ ਹੈ।
ਉਦਯੋਗ ਪਿਛੋਕੜ ਅਤੇ ਤਕਨੀਕੀ ਚੁਣੌਤੀਆਂ
ਸਰਫੇਸ ਐਕੋਸਟਿਕ ਵੇਵ (SAW) ਅਤੇ ਬਲਕ ਐਕੋਸਟਿਕ ਵੇਵ (BAW) ਫਿਲਟਰ ਮੋਬਾਈਲ RF ਫਰੰਟ-ਐਂਡ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਦੋ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਤਕਨਾਲੋਜੀਆਂ ਹਨ ਕਿਉਂਕਿ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਚੋਣ, ਉੱਚ ਗੁਣਵੱਤਾ ਕਾਰਕ (Q), ਅਤੇ ਘੱਟ ਸੰਮਿਲਨ ਨੁਕਸਾਨ ਹੈ। ਇਹਨਾਂ ਵਿੱਚੋਂ, SAW ਫਿਲਟਰ ਸਪਸ਼ਟ ਫਾਇਦੇ ਪੇਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਨਲਾਗਤ, ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਪਰਿਪੱਕਤਾ, ਅਤੇ ਵੱਡੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਨਿਰਮਾਣਯੋਗਤਾ, ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਘਰੇਲੂ RF ਫਿਲਟਰ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ ਮੁੱਖ ਧਾਰਾ ਦਾ ਹੱਲ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਹਾਲਾਂਕਿ, ਰਵਾਇਤੀ SAW ਫਿਲਟਰਾਂ ਨੂੰ ਉੱਨਤ 4G ਅਤੇ 5G ਸੰਚਾਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ 'ਤੇ ਲਾਗੂ ਕਰਨ 'ਤੇ ਅੰਦਰੂਨੀ ਸੀਮਾਵਾਂ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਨਾ ਪੈਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ:
-
ਸੀਮਤ ਸੈਂਟਰ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ, ਮਿਡ- ਅਤੇ ਹਾਈ-ਬੈਂਡ 5G NR ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਦੀ ਕਵਰੇਜ ਨੂੰ ਸੀਮਤ ਕਰਨਾ
-
ਨਾਕਾਫ਼ੀ Q ਫੈਕਟਰ, ਸੀਮਤ ਬੈਂਡਵਿਡਥ ਅਤੇ ਸਿਸਟਮ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ
-
ਤਾਪਮਾਨ ਵਿੱਚ ਭਾਰੀ ਗਿਰਾਵਟ
-
ਸੀਮਤ ਪਾਵਰ ਹੈਂਡਲਿੰਗ ਸਮਰੱਥਾ
SAW ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਢਾਂਚਾਗਤ ਅਤੇ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਫਾਇਦਿਆਂ ਨੂੰ ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਰੱਖਦੇ ਹੋਏ ਇਹਨਾਂ ਰੁਕਾਵਟਾਂ ਨੂੰ ਦੂਰ ਕਰਨਾ ਅਗਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ RF ਧੁਨੀ ਯੰਤਰਾਂ ਲਈ ਇੱਕ ਮੁੱਖ ਤਕਨੀਕੀ ਚੁਣੌਤੀ ਹੈ।
ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਫਿਲਾਸਫੀ ਅਤੇ ਤਕਨੀਕੀ ਪਹੁੰਚ
ਭੌਤਿਕ ਦ੍ਰਿਸ਼ਟੀਕੋਣ ਤੋਂ:
-
ਵੱਧ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾਇੱਕੋ ਜਿਹੀ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਦੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਪੜਾਅ ਵੇਗ ਵਾਲੇ ਧੁਨੀ ਮੋਡਾਂ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ
-
ਵਧੇਰੇ ਬੈਂਡਵਿਡਥਵੱਡੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਕਨੀਕਲ ਕਪਲਿੰਗ ਗੁਣਾਂਕ ਦੀ ਮੰਗ ਕਰਦਾ ਹੈ
-
ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ ਪ੍ਰਬੰਧਨਸ਼ਾਨਦਾਰ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ, ਮਕੈਨੀਕਲ ਤਾਕਤ, ਅਤੇ ਘੱਟ ਧੁਨੀ ਨੁਕਸਾਨ ਵਾਲੇ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦਾ ਹੈ
ਇਸ ਸਮਝ ਦੇ ਆਧਾਰ 'ਤੇ,ਸਾਡੀ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਟੀਮਨੇ ਜੋੜ ਕੇ ਇੱਕ ਨਵਾਂ ਵਿਭਿੰਨ ਏਕੀਕਰਨ ਦ੍ਰਿਸ਼ਟੀਕੋਣ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤਾ ਹੈਸਿੰਗਲ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਲਿਥੀਅਮ ਨਾਈਓਬੇਟ (LiNbO₃, LN) ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂਨਾਲਉੱਚ-ਧੁਨੀ-ਵੇਗ, ਉੱਚ-ਥਰਮਲ-ਚਾਲਕਤਾ ਸਹਾਇਕ ਸਬਸਟਰੇਟ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SiC)। ਇਸ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਢਾਂਚੇ ਨੂੰ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈLNOSiCLanguage.
ਕੋਰ ਤਕਨਾਲੋਜੀ: LNOSiC ਵਿਭਿੰਨ ਸਬਸਟਰੇਟ
LNOSiC ਪਲੇਟਫਾਰਮ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਢਾਂਚਾਗਤ ਸਹਿ-ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਰਾਹੀਂ ਸਹਿਯੋਗੀ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਫਾਇਦੇ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ:
ਹਾਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਕਨੀਕਲ ਕਪਲਿੰਗ
ਸਿੰਗਲ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ LN ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਵੱਡੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਕਨੀਕਲ ਕਪਲਿੰਗ ਗੁਣਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਸਤਹ ਧੁਨੀ ਤਰੰਗਾਂ (SAW) ਅਤੇ ਲੈਂਬ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਕੁਸ਼ਲ ਉਤੇਜਨਾ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਵਾਈਡਬੈਂਡ RF ਫਿਲਟਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨਾਂ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦੀ ਹੈ।
ਉੱਚ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਅਤੇ ਉੱਚ-Q ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ
ਸਹਾਇਕ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੀ ਉੱਚ ਧੁਨੀ ਵੇਗ ਉੱਚ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ ਜਦੋਂ ਕਿ ਧੁਨੀ ਊਰਜਾ ਲੀਕੇਜ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਦਬਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਗੁਣਵੱਤਾ ਦੇ ਕਾਰਕ ਬਿਹਤਰ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।
ਸੁਪੀਰੀਅਰ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਬੰਧਨ
SiC ਵਰਗੇ ਸਹਾਇਕ ਸਬਸਟਰੇਟ ਅਸਧਾਰਨ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਉੱਚ RF ਪਾਵਰ ਸਥਿਤੀਆਂ ਦੇ ਅਧੀਨ ਪਾਵਰ ਹੈਂਡਲਿੰਗ ਸਮਰੱਥਾ ਅਤੇ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਦੀ ਸੰਚਾਲਨ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਧਾਉਂਦੇ ਹਨ।
ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਅਤੇ ਸਕੇਲੇਬਿਲਟੀ
ਇਹ ਵਿਭਿੰਨ ਸਬਸਟਰੇਟ ਮੌਜੂਦਾ SAW ਫੈਬਰੀਕੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਅਨੁਕੂਲ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਨਿਰਵਿਘਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ, ਸਕੇਲੇਬਲ ਨਿਰਮਾਣ ਅਤੇ ਲਾਗਤ-ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਉਤਪਾਦਨ ਦੀ ਸਹੂਲਤ ਦਿੰਦਾ ਹੈ।
ਡਿਵਾਈਸ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਅਤੇ ਸਿਸਟਮ-ਪੱਧਰ ਦੇ ਫਾਇਦੇ
LNOSiC ਵਿਭਿੰਨ ਸਬਸਟਰੇਟ ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ ਮਟੀਰੀਅਲ ਪਲੇਟਫਾਰਮ 'ਤੇ ਕਈ RF ਐਕੋਸਟਿਕ ਡਿਵਾਈਸ ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ:
-
ਰਵਾਇਤੀ SAW ਫਿਲਟਰ
-
ਤਾਪਮਾਨ-ਮੁਆਵਜ਼ਾ SAW (TC-SAW) ਯੰਤਰ
-
ਇੰਸੂਲੇਟਰ-ਇਨਹਾਂਸਡ ਹਾਈ-ਪਰਫਾਰਮੈਂਸ SAW (IHP-SAW) ਡਿਵਾਈਸਾਂ
-
ਉੱਚ-ਆਵਿਰਤੀ ਵਾਲੇ ਲੈਂਬ ਵੇਵ ਐਕੋਸਟਿਕ ਰੈਜ਼ੋਨੇਟਰ
ਸਿਧਾਂਤ ਵਿੱਚ, ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ LNOSiC ਵੇਫਰ ਸਮਰਥਨ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ3G, 4G, ਅਤੇ 5G ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਨੂੰ ਕਵਰ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਮਲਟੀ-ਬੈਂਡ RF ਫਿਲਟਰ ਐਰੇ, ਇੱਕ ਸੱਚੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼“ਆਲ-ਇਨ-ਵਨ” ਆਰਐਫ ਐਕੋਸਟਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟ ਘੋਲ. ਇਹ ਪਹੁੰਚ ਸਿਸਟਮ ਦੀ ਜਟਿਲਤਾ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦੀ ਹੈ ਜਦੋਂ ਕਿ ਉੱਚ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਅਤੇ ਵਧੇਰੇ ਏਕੀਕਰਨ ਘਣਤਾ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।
ਰਣਨੀਤਕ ਮੁੱਲ ਅਤੇ ਉਦਯੋਗਿਕ ਪ੍ਰਭਾਵ
SAW ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਲਾਗਤ ਅਤੇ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਫਾਇਦਿਆਂ ਨੂੰ ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਰੱਖਦੇ ਹੋਏ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਛਾਲ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਕੇ, LNOSiC ਵਿਭਿੰਨ ਸਬਸਟਰੇਟ ਇੱਕ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈਵਿਹਾਰਕ, ਨਿਰਮਾਣਯੋਗ, ਅਤੇ ਸਕੇਲੇਬਲ ਮਾਰਗਉੱਚ-ਅੰਤ ਵਾਲੇ RF ਧੁਨੀ ਯੰਤਰਾਂ ਵੱਲ।
ਇਹ ਹੱਲ ਨਾ ਸਿਰਫ਼ 4G ਅਤੇ 5G ਸੰਚਾਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਵਿੱਚ ਵੱਡੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਤੈਨਾਤੀ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦਾ ਹੈ ਬਲਕਿ ਭਵਿੱਖ ਦੇ ਉੱਚ-ਆਵਿਰਤੀ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਸ਼ਕਤੀ ਵਾਲੇ RF ਧੁਨੀ ਯੰਤਰਾਂ ਲਈ ਇੱਕ ਠੋਸ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਨੀਂਹ ਵੀ ਸਥਾਪਤ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਉੱਚ-ਅੰਤ ਵਾਲੇ RF ਫਿਲਟਰਾਂ ਦੇ ਘਰੇਲੂ ਬਦਲ ਅਤੇ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਦੀ ਤਕਨੀਕੀ ਸਵੈ-ਨਿਰਭਰਤਾ ਵੱਲ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਕਦਮ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ।
LNOSIC ਦੇ ਅਕਸਰ ਪੁੱਛੇ ਜਾਂਦੇ ਸਵਾਲ
Q1: LNOSiC ਰਵਾਇਤੀ SAW ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਤੋਂ ਕਿਵੇਂ ਵੱਖਰਾ ਹੈ?
A:ਰਵਾਇਤੀ SAW ਯੰਤਰ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਬਲਕ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ 'ਤੇ ਬਣਾਏ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ, Q ਫੈਕਟਰ, ਅਤੇ ਪਾਵਰ ਹੈਂਡਲਿੰਗ ਨੂੰ ਸੀਮਿਤ ਕਰਦੇ ਹਨ। LNOSiC ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ LN ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਨੂੰ ਇੱਕ ਉੱਚ-ਵੇਗ, ਉੱਚ-ਥਰਮਲ-ਚਾਲਕਤਾ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨਾਲ ਜੋੜਦਾ ਹੈ, ਉੱਚ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਸੰਚਾਲਨ, ਵਿਆਪਕ ਬੈਂਡਵਿਡਥ, ਅਤੇ SAW ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਨੂੰ ਬਰਕਰਾਰ ਰੱਖਦੇ ਹੋਏ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸੁਧਾਰੀ ਗਈ ਪਾਵਰ ਸਮਰੱਥਾ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
Q2: LNOSiC BAW/FBAR ਤਕਨਾਲੋਜੀਆਂ ਨਾਲ ਕਿਵੇਂ ਤੁਲਨਾ ਕਰਦਾ ਹੈ?
A:BAW ਫਿਲਟਰ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ 'ਤੇ ਉੱਤਮ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਪਰ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਉੱਚ ਲਾਗਤਾਂ ਆਉਂਦੀਆਂ ਹਨ। LNOSiC ਘੱਟ ਲਾਗਤ, ਬਿਹਤਰ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਪਰਿਪੱਕਤਾ, ਅਤੇ ਮਲਟੀ-ਬੈਂਡ ਏਕੀਕਰਣ ਲਈ ਵਧੇਰੇ ਲਚਕਤਾ ਦੇ ਨਾਲ SAW ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਨੂੰ ਉੱਚ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਬੈਂਡਾਂ ਵਿੱਚ ਵਧਾ ਕੇ ਇੱਕ ਪੂਰਕ ਹੱਲ ਪੇਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ।
Q3: ਕੀ LNOSiC 5G NR ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਹੈ?
A:ਹਾਂ। LNOSiC ਦਾ ਉੱਚ ਧੁਨੀ ਵੇਗ, ਵੱਡਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਕਨੀਕਲ ਕਪਲਿੰਗ, ਅਤੇ ਉੱਤਮ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਇਸਨੂੰ ਮੱਧ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਬੈਂਡ 5G NR ਫਿਲਟਰਾਂ ਲਈ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਬੈਂਡਵਿਡਥ ਅਤੇ ਉੱਚ ਪਾਵਰ ਹੈਂਡਲਿੰਗ ਦੀ ਲੋੜ ਵਾਲੇ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।
ਸਾਡੇ ਬਾਰੇ
XKH ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਆਪਟੀਕਲ ਸ਼ੀਸ਼ੇ ਅਤੇ ਨਵੀਂ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਉੱਚ-ਤਕਨੀਕੀ ਵਿਕਾਸ, ਉਤਪਾਦਨ ਅਤੇ ਵਿਕਰੀ ਵਿੱਚ ਮਾਹਰ ਹੈ। ਸਾਡੇ ਉਤਪਾਦ ਆਪਟੀਕਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ, ਖਪਤਕਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਅਤੇ ਫੌਜ ਦੀ ਸੇਵਾ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਅਸੀਂ ਸੈਫਾਇਰ ਆਪਟੀਕਲ ਕੰਪੋਨੈਂਟ, ਮੋਬਾਈਲ ਫੋਨ ਲੈਂਸ ਕਵਰ, ਸਿਰੇਮਿਕਸ, LT, ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ SIC, ਕੁਆਰਟਜ਼, ਅਤੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵੇਫਰ ਪੇਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਾਂ। ਹੁਨਰਮੰਦ ਮੁਹਾਰਤ ਅਤੇ ਅਤਿ-ਆਧੁਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਨਾਲ, ਅਸੀਂ ਗੈਰ-ਮਿਆਰੀ ਉਤਪਾਦ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਵਿੱਚ ਉੱਤਮਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੇ ਹਾਂ, ਜਿਸਦਾ ਉਦੇਸ਼ ਇੱਕ ਮੋਹਰੀ ਆਪਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਉੱਚ-ਤਕਨੀਕੀ ਉੱਦਮ ਬਣਨਾ ਹੈ।
